机译:1550 nm GaAsSb-(In)GaAsN II型量子阱激光有源区的设计分析
机译:中红外激光器基于InP的II型稀铋化物量子阱的有源区设计和增益特性
机译:改进的InGaAs / GaAsSb量子级联激光器有源区设计
机译:GaAs衬底上的GaAsSb-(In)GaAsN II型量子阱激光器
机译:I型和II型应变量子阱激光器的研究。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:太赫兹量子级联激光器的磁场效应 - 基于三和四量子阱有源区设计的对比分析